BAS116
Active - DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23
BAS116 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
75 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
200mA
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.25 V @ 150 mA
Geschwindigkeit
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Umkehrerholungszeit (trr)
3 μs
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 nA @ 75 V
Kapazität bei Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 150 ℃
France
