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CGHV1F006S

Active Icon Active - RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
CGHV1F006S
CGHV1F006S
Wolfspeed
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
 
3D Model Icon

CGHV1F006S Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
GaN
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Produktstatus
Active
Technologie
HEMT
Konfiguration
6GHz
Frequenz
16dB
Verstärkung
40 V
Spannung - Test
950mA
Nennstrom (Ampere)
-
Rauschzahl
60 mA
Strom - Test
8W
Leistung - Abgabe
100 V
Spannung - Nennwert
-
Montagetyp
12-VFDFN Exposed Pad
Gehäuse / Hülle
12-DFN (4x3)
Gehäusetyp vom Lieferanten
-

CGHV1F006S Beschreibung

Der Wolfspeed CGHV1F006S ist ein hochleistungsfähiger Gallium-Nitrid (GaN) HEMT (High Electron Mobility Transistor), der für Anwendungen in der Hochfrequenz- und Leistungselektronik entwickelt wurde. Dieser Transistor bietet eine hervorragende Effizienz und hohe Leistung, was ihn ideal für verschiedene Anwendungen in der Telekommunikation, Radar und industriellen Steuerungen macht. Im Folgenden finden Sie eine detaillierte Beschreibung des CGHV1F006S, einschließlich seiner Spezifikationen und Anwendungsbereiche.

### Allgemeine Beschreibung

Der CGHV1F006S ist ein N-Kanal GaN-HEMT, der für den Betrieb bei hohen Frequenzen und hohen Leistungen optimiert ist. Er bietet eine hohe Ausgangsleistung und eine ausgezeichnete thermische Stabilität, was ihn zu einer bevorzugten Wahl für moderne Hochfrequenzanwendungen macht.

### Technische Spezifikationen

- Typ: N-Kanal GaN HEMT
- Maximale Drain-Source-Spannung (V_DS): 50 V
- Maximaler Drain-Strom (I_D): 6 A
- Maximale Ausgangsleistung: 10 W (bei 2 GHz)
- Frequenzbereich: Bis zu 6 GHz
- Gate-Source-Spannung (V_GS): ±20 V
- R_DS(on): 0,5 Ohm (typisch)
- Gehäuse: TO-247
- Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis +150 °C
- Thermischer Widerstand (Junction to Case): 2 °C/W

### Funktionale Merkmale

- Hohe Effizienz: Der CGHV1F006S bietet eine hohe Effizienz bei der Umwandlung von elektrischer Energie, was zu geringeren Verlusten führt.
- Schnelle Schaltzeiten: Die schnelle Schaltgeschwindigkeit ermöglicht eine effiziente Signalverarbeitung und -übertragung.
- Robuste Bauweise: Das Gehäusedesign sorgt für eine effektive Wärmeableitung und erhöht die Zuverlässigkeit des Bauteils.
- Einfache Ansteuerung: Der Transistor kann mit Standard-Gate-Spannungen angesteuert werden, was die Integration in verschiedene Schaltungen erleichtert.

### Anwendungen

Der Wolfspeed CGHV1F006S wird in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, darunter:

- Telekommunikation: Verwendung in Hochfrequenzverstärkern für Mobilfunk- und Satellitenkommunikation.
- Radar: Einsatz in Radarsystemen zur Signalverstärkung und -verarbeitung.
- Industrielle Anwendungen: Verwendung in Hochfrequenzschaltungen für industrielle Steuerungen und Automatisierung.
- RF-Leistungsverstärker: Anwendung in Leistungsverstärkern für verschiedene Hochfrequenzanwendungen.

### Fazit

Der Wolfspeed CGHV1F006S ist ein leistungsstarker und effizienter GaN HEMT, der sich durch seine hohe Ausgangsleistung, schnelle Schaltzeiten und robuste Bauweise auszeichnet. Er ist eine ausgezeichnete Wahl für moderne Hochfrequenzanwendungen und bietet eine zuverlässige Lösung für die Anforderungen der Leistungselektronik.

CGHV1F006S Inventar: 38180

Geschichte Preis
$64.78000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Quentin Giraud
Location Icon France
5 stars
2021-07-09 02:45
Gut angekommen, noch nicht getestet
Author Icon
Jukka Laakso
Location Icon Finland
5 stars
2021-12-03 00:22
Ich bestelle 10 Stück. Testen Sie nun drei Chips und zwei waren ID 0x441, was STM32F412 ist, nicht STM32F407. Ich bin sehr enttäuscht.
Author Icon
Kęstutis Darius
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-12-27 06:22
Die Ware ist sehr zufrieden, der Verkäufer Vielen Dank.
Author Icon
Justine Perrin
Location Icon France
5 stars
2021-06-10 07:32
Recu in 89 Tagen, Streifen, zum Testen
Author Icon
Lotte van der Veen
Location Icon Netherlands
5 stars
2021-11-23 06:50
Alles in Ordnung, danke!

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