CCB032M12FM3

Active - 1200V SIC 6-PACK MODULE
Beschreibung:
1200V SIC 6-PACK MODULE
CCB032M12FM3 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Konfiguration
Silicon Carbide (SiC)
FET-Merkmal
1200V (1.2kV)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40A
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
42.6mOhm @ 30A, 15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3.6V @ 11.5mA
Vgs(th) (max.) bei Id
118nC @ 15V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
3400pF @ 800V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
10mW
Leistung - Max.
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Chassis Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
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