C3M0160120D
Active - SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Beschreibung:
SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
C3M0160120D Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
17A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
208mOhm @ 8.5A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
3.6V @ 2.33mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
38 nC @ 15 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
632 pF @ 1000 V
Verlustleistung (max.)
97W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
C3M0160120D Inventar: 35260
5.0 / 5.0
2023-06-30 08:38
12 Tage nach Litauen. Vielen Dank
2023-07-01 13:05
Schneller Versand. Speicher noch nicht überprüft.
2023-07-01 05:26
Ich habe sie nicht alle getestet, aber die, die ich verwendet habe, funktionieren einwandfrei
2023-07-01 02:56
Alles ist super, nur positive Emotionen aus dem Deal
2023-06-29 02:47
Es kam pünktlich an, ohne Schäden, Test fehlt, zufrieden mit dem Kauf.
Lithuania
