IRLD120
Obsolete - MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
IRLD120 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
1.3A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
270mOhm @ 780mA, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
12 nC @ 5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
490 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
1.3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-HVMDIP
Gehäuse / Hülle
4-DIP (0.300", 7.62mm)
IRLD120 Inventar: 41280
5.0 / 5.0
2023-06-01 02:54
Perfekt, plus: schnelle Lieferung. Ich empfehle diesen Lieferanten
2023-05-31 06:14
Sehr schnelle Lieferung!!
2023-05-30 05:29
Alles ok, danke
2023-05-30 02:22
Alles ist in Ordnung, ich bin zufrieden Danke, mein Freund!!
2023-05-30 14:13
Produkt wie beschrieben. Noch nicht getestet.
France
