IRC640PBF
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 18A TO220-5
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-5
IRC640PBF Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
18A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300 pF @ 25 V
FET-Merkmal
Current Sensing
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-5
IRC640PBF Inventar: 24520
5.0 / 5.0
2023-02-26 01:48
Alles in Ordnung, danke
2023-02-10 13:39
Andere als die bestellten integrierten Schaltkreise sind eingetroffen.
2023-02-26 01:48
Alles in Ordnung, danke
2022-11-02 23:28
Alles in Ordnung, aber Versand über 3 Monate. Von welchen Straci?em-Kunden in repair.__recommend.
2023-02-25 10:28
Sie kamen in einwandfreiem Zustand an, man muss es nur probieren
Spain
