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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzelne FETs, MOSFETs  /  STMicroelectronics STY112N65M5

STY112N65M5

Active Icon Active - MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
STY112N65M5
STY112N65M5
STMicroelectronics
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
 
3D Model Icon

STY112N65M5 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
MDmesh V
Verpackung
Tube
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
96A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
22mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
?5V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
16870 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
625W (Tc)
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Gehäusetyp vom Lieferanten
MAX247?
Gehäuse / Hülle
TO-247-3

STY112N65M5 Inventar: 1160

Geschichte Preis
$38.05000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Lea Schneider
Location Icon Germany
5 stars
2022-10-06 10:05
Alles in Ordnung, danke.
Author Icon
Juliana Ríos
Location Icon Spain
5 stars
2023-02-28 16:48
Schon ein Soldat am Handy. Funktioniert ok
Author Icon
Gintaras Darius
Location Icon Lithuania
5 stars
2022-10-11 01:17
Thanks.__Only fünf von ihnen sind Triacs.
Author Icon
Vytautas Jurevičius
Location Icon Lithuania
5 stars
2023-02-27 20:16
Äußerlich ist alles in Ordnung. Ich habe die Arbeit noch nicht überprüft.
Author Icon
Florian Weber
Location Icon Germany
5 stars
2023-02-28 01:22
Perfektes ABG, wie schon wieder.

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