STW68N60M6
Active - MOSFET N-CH 600V TO247-3
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V TO247-3
STW68N60M6 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
63A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
41mOhm @ 31.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4.75V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
106 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4360 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
390W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
STW68N60M6 Inventar: 20410
5.0 / 5.0
2023-06-26 22:48
Große Menge an fehlerhaften Blöcken in Layouts
2023-04-03 14:49
Schnell und genau dank
2023-06-25 05:41
Funktioniert einwandfrei, schnelle Lieferung
2023-06-22 09:10
In Übereinstimmung mit der Beschreibung bestellt, wenn erhalten, ist der Transistor leicht zu messen. Als Glück Nickel Chrom
2023-06-23 23:39
Funktioniert hervorragend in meinem 3b+, keine Konfiguration erforderlich.
Poland
