STW56N65M2
Active - MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 49A TO247
STW56N65M2 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
49A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
62mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
93 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3900 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
358W (Tc)
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
STW56N65M2 Inventar: 19200
5.0 / 5.0
2023-04-04 00:51
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Herzlich
2023-03-28 14:59
Tolles Produkt und guter Verkäufer
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
2023-03-27 06:30
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2023-03-26 11:37
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France
