STU7N65M2
Active - MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
STU7N65M2 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
5A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
9 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
270 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-251 (IPAK)
Gehäuse / Hülle
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
STU7N65M2 Inventar: 33040
5.0 / 5.0
2023-06-09 08:11
Produkt als Beschreibung
2023-06-07 08:40
Sehr gut und sicher verpackt, schnell angekommen und das Produkt ist reichlich
2023-06-07 08:42
Alles OK als Beschreibung. Super
2023-06-09 00:03
Die Teile werden schnell geliefert, gut verpackt, alles entspricht der Beschreibung.
2023-06-07 06:54
sehr sehr gut
France
