STS3DNE60L
Obsolete - MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
STS3DNE60L Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
2 N-Channel (Dual)
Konfiguration
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
3A
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
80mOhm @ 1.5A, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1V @ 250μA
Vgs(th) (max.) bei Id
13.5nC @ 4.5V
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
815pF @ 25V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2W
Leistung - Max.
150 ℃ (TJ)
Betriebstemperatur
Surface Mount
Montagetyp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
STS3DNE60L Inventar: 25800
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
Finland
