STR2P3LLH6

Active - MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
STR2P3LLH6 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
56mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
6 nC @ 4.5 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
639 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
350mW (Tc)
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23-3
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3