STPSC4H065D
Active - DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Beschreibung:
DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
STPSC4H065D Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
4A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.75 V @ 4 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
40 μA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
200pF @ 0V, 1MHz
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AC
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 175 ℃
STPSC4H065D Inventar: 5560
5.0 / 5.0
2023-03-23 04:51
Großartig. Ich habe schon einen benutzt, alles ist in Ordnung.
2023-03-23 23:34
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2023-03-21 03:07
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2023-03-21 13:11
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2023-03-22 09:19
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