STPSC20065DI
Active - DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS
Beschreibung:
DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS
STPSC20065DI Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
20A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.45 V @ 20 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
300 μA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
1250pF @ 0V, 1MHz
Gehäuse / Hülle
TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AC ins
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 175 ℃
STPSC20065DI Inventar: 38960
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
Finland
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