STPSC10H12D
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Beschreibung:
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
STPSC10H12D Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
10A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.5 V @ 10 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
60 μA @ 1200 V
Kapazität bei Vr, F
725pF @ 0V, 1MHz
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AC
Betriebstemperatur - übergang
-40 ℃ ~ 175 ℃
Denmark
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