STI6N80K5
Active - MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK
STI6N80K5 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4.5A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1.6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 100μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
7.5 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
255 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
85W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
I2PAK (TO-262)
Gehäuse / Hülle
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
STI6N80K5 Inventar: 11080
5.0 / 5.0
2023-03-27 06:47
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
2023-03-27 01:57
Alles gemäß der Beschreibung. Russland morduje Ukraińc
2023-03-27 05:39
Schneller Versand, alles wie beschrieben.
2022-11-04 11:23
Perfekt für RGH3 bis Xbox 360, sie funktionieren perfekt.
2023-03-22 08:53
Sehr zufrieden mit dem Produkt, vielen Dank an den Verkäufer.
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