STH110N7F6-2
Active - MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
Beschreibung:
MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
STH110N7F6-2 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
68 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
80A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6.3mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
100 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5850 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
176W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
H2Pak-2
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STH110N7F6-2 Inventar: 47210
5.0 / 5.0
2023-03-24 11:36
Wie immer bin ich mit diesem Verkäufer zufrieden Vielen Dank
2023-03-23 22:53
Alles ok zu empfehlen, tolles Produkt
2023-03-23 13:21
Reibungsloses Arbeiten, danke
2023-03-22 19:30
Ich bin sehr zufrieden
2023-03-24 00:36
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