STGAP2HSM

Active - DISCRETE
STGAP2HSM Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
Capacitive Coupling
Spannung - Isolation
5000Vrms
Gleichtakt-Transientenimmunität (min.)
100V/ns
Laufzeitverzögerung tpLH / tpHL (max.)
90ns, 90ns
Pulsbreitenverzerrung (max.)
20ns
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
30ns, 30ns
Strom - Ausgang, HIGH/LOW
4A, 4A
Strom - Spitze, Ausgang
4A
Spannung - Durchlass (Vf) (typ.)
-
Strom - DC, Durchlass (If) (max.)
-
Spannung - Ausgangsversorgung
3V ~ 5.5V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 125 ℃
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SO
STGAP2HSM Inventar: 37160
5.0 / 5.0

2023-02-03 07:29
Versand in 1 Tag

2023-02-03 06:07
Sieht ok aus, noch nicht benutzt

2023-02-03 22:43
Ein Komponententester bestätigte, dass alle 10 BD912-Transistoren mit einem hFE-Wert von 141 bis 157 in Ordnung waren. Der Versand in die USA war sehr schnell.

2023-02-03 22:43
Ein Komponententester bestätigte, dass alle 10 BD911-Transistoren mit einem hFE-Wert von 44 bis 47 in Ordnung waren. Der Versand in die USA war sehr schnell.

2023-02-02 07:18
Guter Verkäufer. Vielen Dank.