STF7N65M6
Active - MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
STF7N65M6 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
5A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
990mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3.75V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
6.9 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
220 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
20W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FP
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 Full Pack
STF7N65M6 Inventar: 20980
5.0 / 5.0
2023-03-08 21:30
Produkt sieht gut aus
2023-03-08 13:25
Schnelles Schiff und kam in gutem Zustand an.
2023-03-11 03:28
Seriöser und ehrlicher Verkäufer, Artikel als Beschreibung, es war ein Vergnügen, Geschäfte mit Verkäufer zu machen, Grüße aus Mailand
2023-03-08 08:29
Sieht aus wie der Typ, der das Texas Instruments-Logo auf diesen
2023-03-11 08:26
Alles gut. Nicht getestet
United States
