STF33N60M2
Active - MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
STF33N60M2 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
26A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
45.5 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1781 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FP
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 Full Pack
STF33N60M2 Inventar: 14350
5.0 / 5.0
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
2022-11-10 14:27
einige beschädigte Komponenten, unbrauchbar
Finland
