STD5N65M6
Active - MOSFET N-CH 650V DPAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V DPAK
STD5N65M6 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3.75V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
5.1 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
170 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD5N65M6 Inventar: 8800
5.0 / 5.0
2023-02-03 22:43
Ein Komponententester bestätigte, dass alle 10 BD912-Transistoren mit einem hFE-Wert von 141 bis 157 in Ordnung waren. Der Versand in die USA war sehr schnell.
2023-02-03 22:43
Ein Komponententester bestätigte, dass alle 10 BD911-Transistoren mit einem hFE-Wert von 44 bis 47 in Ordnung waren. Der Versand in die USA war sehr schnell.
2023-02-02 07:18
Guter Verkäufer. Vielen Dank.
2023-02-01 08:44
Alles ist in Ordnung.
2023-02-03 02:17
Ausgezeichnet, gute Qualität, schnelle Quittung empfehlen.
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United States
