STD3NM50T4
Obsolete - MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
STD3NM50T4 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
550 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
5.5 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
140 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
46W (Tc)
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD3NM50T4 Inventar: 9900
5.0 / 5.0
2023-03-01 17:50
Hat den Trick gemacht. Wurde für einen ESP8266 Breakout-Board-Spannungsregler verwendet.
2023-03-01 06:20
Sehr gute 555 schnelle Lieferung funktioniert einwandfrei
2023-03-02 10:04
Schneller Versand, alles OK, Ware und Verkäufer empfehlen.
2023-03-02 10:05
Alles ist in Ordnung.
2023-03-02 08:02
Schnelle Lieferung, alles wie beschrieben.
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United States
