STD16N65M2
Active - MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
STD16N65M2 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
19.5 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
718 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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United States
