STD16N50M2
Active - MOSFET N-CH 500V 13A TO252
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 13A TO252
STD16N50M2 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
13A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
19.5 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
710 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252, (D-Pak)
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
France
;;2.jpg)
