STD13N60M2

Active - MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STD13N60M2 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
580 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD13N60M2 Beschreibung
Der STD13N60M2 von STMicroelectronics ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET, der für Hochspannungsanwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Dieser Transistor ist besonders geeignet für Anwendungen in der Schalttechnik, wie z.B. in Netzteilen, Motorsteuerungen und anderen industriellen Anwendungen. Hier sind die detaillierten Spezifikationen und Merkmale des STD13N60M2:
### Allgemeine Beschreibung
Der STD13N60M2 ist ein MOSFET mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 600 V und einem maximalen Drain-Strom von 13 A. Er ist in einem TO-220-Gehäuse untergebracht, das eine effiziente Wärmeableitung ermöglicht und somit für Anwendungen mit hohen Leistungsanforderungen geeignet ist.
### Technische Spezifikationen
- Maximale Drain-Source-Spannung (V_DS): 600 V
- Maximaler Drain-Strom (I_D): 13 A (bei 25 °C)
- Pulsstrom (I_D,pulse): 30 A
- Maximale Verlustleistung (P_D): 94 W (bei 25 °C)
- Gate-Source-Spannung (V_GS): ±20 V
- Gate-Ladung (Q_G): 30 nC (typisch bei V_GS = 10 V)
- R_DS(on): 0,18 Ω (bei V_GS = 10 V)
- Schaltzeiten:
- Einschaltzeit (t_on): 60 ns
- Ausschaltzeit (t_off): 150 ns
- Temperaturbereich: -55 °C bis +150 °C
### Merkmale
1. Hohe Spannungsfestigkeit: Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 600 V ist der STD13N60M2 ideal für Anwendungen, die eine hohe Spannungsfestigkeit erfordern.
2. Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand: Der niedrige R_DS(on) von 0,18 Ω sorgt für eine hohe Effizienz und geringere Wärmeentwicklung während des Betriebs.
3. Schnelle Schaltzeiten: Die schnellen Schaltzeiten ermöglichen eine effiziente Steuerung in Hochfrequenzanwendungen, was die Gesamtleistung des Systems verbessert.
4. Robuste Bauweise: Das TO-220-Gehäuse bietet eine gute Wärmeableitung und ist für den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen geeignet.
5. Vielseitige Anwendungen: Der STD13N60M2 kann in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden, darunter Schaltnetzteile, Motorsteuerungen, Wechselrichter und andere industrielle Anwendungen.
### Anwendungen
Der STD13N60M2 findet Anwendung in verschiedenen Bereichen, darunter:
- Schaltnetzteile (SMPS)
- Motorsteuerungen (z.B. für Gleichstrommotoren)
- Wechselrichter für erneuerbare Energien
- Beleuchtungssysteme
- Industrielle Steuerungen und Automatisierung
### Fazit
Der STMicroelectronics STD13N60M2 ist ein leistungsstarker und vielseitiger N-Kanal-MOSFET, der sich durch seine hohe Spannungsfestigkeit, geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und schnelle Schaltzeiten auszeichnet. Mit seinen robusten Spezifikationen und der Zuverlässigkeit ist er eine hervorragende Wahl für moderne Anwendungen in der Leistungselektronik.
STD13N60M2 Inventar: 37040
5.0 / 5.0

2023-03-27 01:57
Alles gemäß der Beschreibung. Russland morduje Ukraińc

2023-03-27 05:39
Schneller Versand, alles wie beschrieben.

2022-11-04 11:23
Perfekt für RGH3 bis Xbox 360, sie funktionieren perfekt.

2023-03-22 08:53
Sehr zufrieden mit dem Produkt, vielen Dank an den Verkäufer.

2023-03-24 06:22
Sehr gut. Alles klar. Grüße. Vielen Dank...