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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzelne FETs, MOSFETs  /  STMicroelectronics STD12N65M5

STD12N65M5

Active Icon Obsolete - MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK
STD12N65M5
STD12N65M5
STMicroelectronics
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 8.5A DPAK
 
3D Model Icon

STD12N65M5 Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
MDmesh V
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8.5A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
430mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
?5V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
900 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STD12N65M5 Inventar: 48200

Geschichte Preis
Obsolete
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
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Ugo Marino
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-25 05:08
Alles gut zu empfehlen
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Stanisław Kaczor
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
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John Jones
Location Icon United Kingdom
5 stars
2023-03-27 06:47
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
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Krystyna Zawadzka
Location Icon Poland
5 stars
2023-03-27 01:57
Alles gemäß der Beschreibung. Russland morduje Ukraińc
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Tiziana Rizzo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-27 05:39
Schneller Versand, alles wie beschrieben.

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