STD110N8F6
Active - MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
STD110N8F6 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
80A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
150 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9130 pF @ 40 V
Verlustleistung (max.)
167W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD110N8F6 Inventar: 23720
5.0 / 5.0
2023-03-08 13:25
Schnelles Schiff und kam in gutem Zustand an.
2023-03-11 03:28
Seriöser und ehrlicher Verkäufer, Artikel als Beschreibung, es war ein Vergnügen, Geschäfte mit Verkäufer zu machen, Grüße aus Mailand
2023-03-08 08:29
Sieht aus wie der Typ, der das Texas Instruments-Logo auf diesen
2023-03-11 08:26
Alles gut. Nicht getestet
2023-03-08 22:33
Arbeiten an einem Sony ct-291 Subwofer.
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United States
