STD10NM60N
Active - MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
STD10NM60N Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
10A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
19 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
540 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD10NM60N Inventar: 32500
5.0 / 5.0
2022-08-19 13:29
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2023-02-09 11:27
Wie in der Beschreibung habe ich sie nicht installiert, um sie zu testen
2023-02-10 05:28
Aussehende Qualität, gut verpackt, gut verpackt, danke
2023-02-07 08:54
Ich konnte auf sehr einfache Art und Weise sehr schnell bestellen, alles ist nach den description__I bin sehr zufrieden
2023-02-09 07:31
Alles hat perfekt geklappt.
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