STD10N60M6
Active - MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
STD10N60M6 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6.4A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
600mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4.75V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8.8 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
338 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
D-PAK (TO-252)
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD10N60M6 Inventar: 15430
5.0 / 5.0
2023-03-26 01:25
Sie kamen viel schneller an als erwartet. Alles, was ich tun muss, ist, sie zu reiten.
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.
2022-12-19 19:44
Die Lieferung ist nicht angekommen.
2023-03-25 13:19
Ist wie die Beschreibung (Toshiba). Ist der Betrag, um den ich gebeten habe. Sehr schnell schickte er. Noch nicht bewiesen, ich werde später einen zusätzlichen Kommentar hinzufügen.
2023-03-25 19:53
Sieht gut aus. noch nicht getestet.
France
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