STD10N60M2
Active - MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
STD10N60M2 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
7.5A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
13.5 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
400 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
85W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD10N60M2 Inventar: 21400
5.0 / 5.0
2023-01-31 16:29
Ich habe sie eingesetzt und sie haben 2 Minuten gedauert, sie platzen automatisch, schlechte Qualität
2023-03-07 17:17
Qualität 100% empfohlener Verkäufer,
2023-03-05 02:44
Alles gut!! Xbox One S repariert. Vielen Dank!
2022-11-27 08:34
Sie sind falsch und der Anblick und das Fehlen der Diode im Inneren, ich werde einige Bilder nach links machen, ist original
2023-03-06 10:00
Das Produkt gut. Das Problem ist, wenn das Paket in den Händen von ecoscooperative ist, der schlechtesten Zustellagentur Spaniens
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Spain
