STB28N65M2
Active - MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
STB28N65M2 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
20A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
35 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1440 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK (TO-263)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STB28N65M2 Inventar: 41380
5.0 / 5.0
2023-01-23 13:32
Alles wie beschrieben
2023-01-18 20:22
Das war%27%27s, sie arbeiten auch, danke!
2023-01-22 10:00
Kein problemkonformes Produkt und netter Verkäufer
2023-01-23 14:37
Kam einen Monat früher an. Empfehlenswert
2022-10-04 19:10
Raoida Lieferung, in Ordnung.
United States
