STB24N60M2
Active - MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
STB24N60M2 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
18A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
29 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1060 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK (TO-263)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STB24N60M2 Inventar: 26720
5.0 / 5.0
2023-03-27 01:57
Alles gemäß der Beschreibung. Russland morduje Ukraińc
2023-03-27 05:39
Schneller Versand, alles wie beschrieben.
2022-11-04 11:23
Perfekt für RGH3 bis Xbox 360, sie funktionieren perfekt.
2023-03-22 08:53
Sehr zufrieden mit dem Produkt, vielen Dank an den Verkäufer.
2023-03-24 06:22
Sehr gut. Alles klar. Grüße. Vielen Dank...
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