STB11NM80T4
Active - MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
STB11NM80T4 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
400mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
43.6 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1630 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STB11NM80T4 Inventar: 10520
5.0 / 5.0
2023-03-27 06:30
Kam wie gewünscht. Qualitätsprodukt. Schnell angekommen und mit gutem Schutz. Ich empfehle und werde in Zukunft wieder kaufen.
2023-03-26 11:37
Seriöser und professioneller Verkäufer empfehlen es
2023-03-25 05:08
Alles gut zu empfehlen
2023-03-26 07:37
Gute Qualität Ware in Übereinstimmung mit der Bestellung. Lieferzeit 18 Tage.
2023-03-27 06:47
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
United States
