Kategorien
Neue Produkte
Qualitätskontrolle
Rezensionen
Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - FETs, MOSFETs - HF-FETs, HF-MOSFETs  /  STMicroelectronics PD20010S-E

PD20010S-E

Active Icon Obsolete - TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
PD20010S-E
PD20010S-E
STMicroelectronics
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
 
3D Model Icon

PD20010S-E Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Tube
Produktstatus
Obsolete
Technologie
LDMOS
Konfiguration
2GHz
Frequenz
11dB
Verstärkung
13.6 V
Spannung - Test
5A
Nennstrom (Ampere)
-
Rauschzahl
150 mA
Strom - Test
10W
Leistung - Abgabe
40 V
Spannung - Nennwert
-
Montagetyp
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
Gehäuse / Hülle
PowerSO-10RF (Straight Lead)
Gehäusetyp vom Lieferanten
-

PD20010S-E Inventar: 28320

Geschichte Preis
Obsolete
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Gabriela Silva
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-12 10:45
Es ist das, was ich wollte, und ich kam in ein paar Tagen perfekt an
Author Icon
Olivier Lefebvre
Location Icon France
5 stars
2023-03-12 10:49
Schnelle Lieferung, konformer Artikel, aber schwieriges Schweißen an Solarlampen
Author Icon
Cole Wright
Location Icon United States
5 stars
2023-03-12 10:35
Konformes Produkt, mer?i viel
Author Icon
Paul Bauer
Location Icon Germany
5 stars
2023-03-15 13:34
Die Spansäge ist neuwertiger Zustand und ist nach verbauen funktionstüchtig, top
Author Icon
Edmond Lamy
Location Icon France
5 stars
2023-02-08 00:59
Irreführendes Bild. Ich dachte, es wären 2 Teile

PD20010S-E Verwandte Teile

PD20010-E
PD20010S-E
PD20010STR-E
PD20010TR-E
PD20015-E
PD20015S-E
Angebotsanfrage
Teilenummer *
Hersteller
Kontaktperson *
E-Mail *
Anfrage Menge *
Lieferland *