L6571BD
Active - IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Beschreibung:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
L6571BD Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Gattertyp
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
10V ~ 16.6V
Logikspannung - VIL, VIH
-
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
170mA, 270mA
Eingangstyp
RC Input Circuit
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
600 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
-
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
L6571BD Inventar: 31640
5.0 / 5.0
2023-02-17 15:14
Nicht gerade das, was ich erwartet hatte
2023-02-16 23:32
Alles in Ordnung, zuverlässiger Verkäufer wie immer.
2023-02-14 10:38
Gutes Produkt, das der Beschreibung entspricht und vertrauenswürdig seller.__Order Versand- und Lieferzeit in die Niederlande war vom 26. Januar bis heute 14 February.__Thank Sie Verkäufer für diese reibungslose und sehr schnelle Transaktion :)
2022-11-06 12:52
Na gut, kein Problem.
2023-02-14 03:12
Sehr gut, vielen Dank.
Spain
