L6389ED
Active - IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
Beschreibung:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
L6389ED Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Gattertyp
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
17V (Max)
Logikspannung - VIL, VIH
1.1V, 1.8V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
400mA, 650mA
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
600 V
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
70ns, 40ns
Betriebstemperatur
-45 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
France
