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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  STMicroelectronics ESM2012DV

ESM2012DV

Active Icon Obsolete - TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
ESM2012DV
ESM2012DV
STMicroelectronics
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
 
3D Model Icon

ESM2012DV Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Tube
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
120 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
120 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.5V @ 1A, 100A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1200 @ 100A, 5V
Leistung - Max.
175 W
Frequenz - übergang
-
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Chassis Mount
Gehäuse / Hülle
ISOTOP
Gehäusetyp vom Lieferanten
ISOTOP?

ESM2012DV Inventar: 46040

Geschichte Preis
Obsolete
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Ana Teresa
Location Icon Spain
5 stars
2023-03-24 06:22
Sehr gut. Alles klar. Grüße. Vielen Dank...
Author Icon
Sergio Gallo
Location Icon Italy
5 stars
2023-03-23 22:54
Alles ok zu empfehlen, tolles Produkt
Author Icon
Annelies de Wit
Location Icon Netherlands
5 stars
2023-03-25 04:23
Alles wie bestellt, ich habe die Qualität nicht überprüft, aber das Aussehen und die Quantität entspricht der Beschreibung. Die Lieferung erfolgt schnell. Vielen Dank! (PS: Ja, ich bin eine Frau! Lassen Sie sich davon nicht verwirren!)
Author Icon
Éva Delaunay
Location Icon France
5 stars
2023-03-26 01:25
Sie kamen viel schneller an als erwartet. Alles, was ich tun muss, ist, sie zu reiten.
Author Icon
Laura Salmi
Location Icon Finland
5 stars
2023-03-24 03:47
Einfach hervorragend!! Vielen Dank.

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