20F120

Active - DIODE GEN PURP 1.2KV 20A DO4
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1.2KV 20A DO4
20F120 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
20A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 20 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 1200 V
Gehäuse / Hülle
DO-203AA, DO-4, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-4
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 150 ℃
20F120 Inventar: 25200
5.0 / 5.0

2023-02-03 06:07
Sieht ok aus, noch nicht benutzt

2023-02-03 22:43
Ein Komponententester bestätigte, dass alle 10 BD912-Transistoren mit einem hFE-Wert von 141 bis 157 in Ordnung waren. Der Versand in die USA war sehr schnell.

2023-02-03 22:43
Ein Komponententester bestätigte, dass alle 10 BD911-Transistoren mit einem hFE-Wert von 44 bis 47 in Ordnung waren. Der Versand in die USA war sehr schnell.

2023-02-02 07:18
Guter Verkäufer. Vielen Dank.

2023-02-01 08:44
Alles ist in Ordnung.