1N413RB
Active - DIODE GEN PURP REV 200V 100A DO8
Beschreibung:
DIODE GEN PURP REV 200V 100A DO8
1N413RB Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
Standard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
100A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 200 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
50 μA @ 200 V
Gehäuse / Hülle
DO-205AA, DO-8, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-8
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N413RB Inventar: 46620
5.0 / 5.0
2023-03-09 04:31
Tolles Produkt und toller Verkäufer
2023-03-10 14:16
Artikel wie beschrieben, alles gut
2023-03-11 15:35
Gut-<br>Ic Max -100 mA.<br>Vce Max -45V<br>Vebo Max -5V<br>Vbe(Sat) -0,7 V (Ic=-10 mA, ib=-0,5 mA)<br>Versand für Italien in 17 Tagen.<br>Ich empfehle den Kauf
2023-03-08 21:30
Produkt sieht gut aus
2023-03-08 13:25
Schnelles Schiff und kam in gutem Zustand an.
Italy
