1N412RB
Active - DIODE GEN PURP REV 100V 100A DO8
Beschreibung:
DIODE GEN PURP REV 100V 100A DO8
1N412RB Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
Standard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
100A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 200 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
50 μA @ 100 V
Gehäuse / Hülle
DO-205AA, DO-8, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-8
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N412RB Inventar: 14440
5.0 / 5.0
2023-03-27 06:47
Toller Artikel, toller Verkäufer, A
2023-03-27 01:57
Alles gemäß der Beschreibung. Russland morduje Ukraińc
2023-03-27 05:39
Schneller Versand, alles wie beschrieben.
2022-11-04 11:23
Perfekt für RGH3 bis Xbox 360, sie funktionieren perfekt.
2023-03-22 08:53
Sehr zufrieden mit dem Produkt, vielen Dank an den Verkäufer.
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