1N411RB
Active - DIODE GEN PURP REV 50V 100A DO8
Beschreibung:
DIODE GEN PURP REV 50V 100A DO8
1N411RB Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
Standard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
50 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
100A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 200 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
50 μA @ 50 V
Gehäuse / Hülle
DO-205AA, DO-8, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-8
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N411RB Inventar: 8880
5.0 / 5.0
2023-02-03 22:43
Ein Komponententester bestätigte, dass alle 10 BD911-Transistoren mit einem hFE-Wert von 44 bis 47 in Ordnung waren. Der Versand in die USA war sehr schnell.
2023-02-02 07:18
Guter Verkäufer. Vielen Dank.
2023-02-01 08:44
Alles ist in Ordnung.
2023-02-03 02:17
Ausgezeichnet, gute Qualität, schnelle Quittung empfehlen.
2023-02-01 12:02
Perfekt, es ist okay. Danke
United States
