1N3295
Active - DIODE GEN PURP 1KV 100A DO8
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 1KV 100A DO8
1N3295 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1000 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
100A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 200 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
50 μA @ 1000 V
Gehäuse / Hülle
DO-205AA, DO-8, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-8
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 200 ℃
Denmark
