1N3293R
Active - DIODE GEN PURP REV 600V 100A DO8
Beschreibung:
DIODE GEN PURP REV 600V 100A DO8
1N3293R Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
Standard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
600 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
100A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.2 V @ 200 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
50 μA @ 600 V
Gehäuse / Hülle
DO-205AA, DO-8, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-8
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N3293R Inventar: 39680
5.0 / 5.0
2023-05-18 07:30
SCHNELLES GEHÄUSE OHNE 100% PROBLEM.
2022-12-22 13:28
Sehr schneller Versand dank
2023-05-20 02:29
Artikel, der mit der Beschreibung übereinstimmt. Lieferung und Paket ausgezeichnet.
2023-05-16 05:43
100% OK !!
2023-05-17 10:19
Sehr gute Transaktion schnelle Lieferung, produktkonform, Verkäufer zu empfehlen danke
Poland
