1N3266
Active - DIODE GEN PURP 350V 275A DO9
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 350V 275A DO9
1N3266 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
350 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
275A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.3 V @ 300 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
75 μA @ 350 V
Gehäuse / Hülle
DO-205AB, DO-9, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-9
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 190 ℃
Italy
