1N3172
Active - DIODE GEN PURP 800V 240A DO9
Beschreibung:
DIODE GEN PURP 800V 240A DO9
1N3172 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
800 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
240A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.25 V @ 240 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
-
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
75 μA @ 800 V
Gehäuse / Hülle
DO-205AB, DO-9, Stud
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-9
Betriebstemperatur - übergang
-65 ℃ ~ 200 ℃
France
