DB106
Active - BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB-M
Beschreibung:
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB-M
DB106 Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Spannung - Spitzensperr- (max.)
800 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
1 A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.1 V @ 1 A
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 μA @ 800 V
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Gehäuse / Hülle
4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
DB-M
DB106 Inventar: 25340
5.0 / 5.0
2021-02-06 23:42
Perfekt angekommen. Es wurde eine Einheit auf die entsprechende Leiterplatte geschweißt, die perfekt funktioniert, um eine fehlerhafte Einheit auf einer Arduino-Nanoplatte zu ersetzen.
2021-08-04 23:28
2 Wochen für die Lieferung. Die Chips funktionieren einwandfrei
2021-11-04 06:37
Entspricht meiner Nutzung
2021-07-11 09:01
Getestet, funktioniert wie erwartet.
2021-12-09 23:36
Schneller Versand, OK
Spain
