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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren  /  SANYO Semiconductor 2SA1669-TB-E

2SA1669-TB-E

Active Icon Active - PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SA1669-TB-E
2SA1669-TB-E
SANYO Semiconductor
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
 
3D Model Icon

2SA1669-TB-E Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
15V
Frequenz - übergang
3GHz
Rauschzahl (dB typ. bei f)
2dB @ 900MHz
Verstärkung
5dB
Leistung - Max.
250mW
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
15 @ 5mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50mA
Betriebstemperatur
-
Montagetyp
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
3-CP

2SA1669-TB-E Inventar: 36740

Geschichte Preis
Active
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Lotte van der Veen
Location Icon Netherlands
5 stars
2021-11-23 06:50
Alles in Ordnung, danke!
Author Icon
Hugo
Location Icon Spain
5 stars
2021-12-23 03:52
Alles klar. Rechtzeitig eingegangen
Author Icon
Felipe Soto
Location Icon Spain
5 stars
2021-02-06 23:42
Perfekt angekommen. Es wurde eine Einheit auf die entsprechende Leiterplatte geschweißt, die perfekt funktioniert, um eine fehlerhafte Einheit auf einer Arduino-Nanoplatte zu ersetzen.
Author Icon
Katharina Schneider
Location Icon Germany
5 stars
2021-08-04 23:28
2 Wochen für die Lieferung. Die Chips funktionieren einwandfrei
Author Icon
Paul Roy
Location Icon France
5 stars
2021-11-04 06:37
Entspricht meiner Nutzung

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