Kategorien
Neue Produkte
Qualitätskontrolle
Rezensionen
Startseite  /  Integrierte Schaltungen (ICs)  /  Speicher  /  Samsung Semiconductor K4F4E3S4HF-GUCJ

K4F4E3S4HF-GUCJ

Active Icon Active - IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps
K4F4E3S4HF-GUCJ
K4F4E3S4HF-GUCJ
Samsung Semiconductor
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Kategorie:
Datenblatt:
Beschreibung:
IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps
 
3D Model Icon

K4F4E3S4HF-GUCJ Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Kategorie
Reihe
-
Verpackung
Tray
Produktstatus
Active
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
LPDDR4
Speichergröße
4 Gb
Speicherorganisation
x32
Speicherschnittstelle
Parallel
Taktfrequenz
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
Zugriffszeit
-
Spannung - Versorgung
1.8 / 1.1 / 1.1 V
Betriebstemperatur
-40 ~ 125 ℃
Montagetyp
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
200 FBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
200 FBGA

K4F4E3S4HF-GUCJ Inventar: 5220

Geschichte Preis
0
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Lotte van der Veen
Location Icon Netherlands
5 stars
2021-11-23 06:50
Alles in Ordnung, danke!
Author Icon
Hugo
Location Icon Spain
5 stars
2021-12-23 03:52
Alles klar. Rechtzeitig eingegangen
Author Icon
Felipe Soto
Location Icon Spain
5 stars
2021-02-06 23:42
Perfekt angekommen. Es wurde eine Einheit auf die entsprechende Leiterplatte geschweißt, die perfekt funktioniert, um eine fehlerhafte Einheit auf einer Arduino-Nanoplatte zu ersetzen.
Author Icon
Katharina Schneider
Location Icon Germany
5 stars
2021-08-04 23:28
2 Wochen für die Lieferung. Die Chips funktionieren einwandfrei
Author Icon
Paul Roy
Location Icon France
5 stars
2021-11-04 06:37
Entspricht meiner Nutzung

K4F4E3S4HF-GUCJ Verwandte Teile

K4F6E3S4HB-KHCL
K4F6E3S4HB-KFCL
K4F8E304HB-MGCJ
K4F8E304HB-MGCJ
K4FBE3D4HM-TFCL
K4F6E3S4HM-MGCJ
K4F6E3S4HM-MGCJ
K4F8E3S4HD-GHCL
K4F8E3S4HD-GUCL
K4F6E3S4HM-THCL
K4F4E3S4HF-GHCJ
K4F2E3S4HA-TFCL
Angebotsanfrage
Teilenummer *
Hersteller
Kontaktperson *
E-Mail *
Anfrage Menge *
Lieferland *