NP32N055SDE-E1-AZ
Obsolete - NP32N055SDE-E1-AZ - MOS FIELD EF
Beschreibung:
NP32N055SDE-E1-AZ - MOS FIELD EF
NP32N055SDE-E1-AZ Spezifikation
Produkt-Attribut
Attributwert
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
32A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
24mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
41 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2000 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
1.2W (Ta), 66W (Tc)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252 (MP-3ZK)
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
NP32N055SDE-E1-AZ Inventar: 32140
5.0 / 5.0
2021-02-06 23:42
Perfekt angekommen. Es wurde eine Einheit auf die entsprechende Leiterplatte geschweißt, die perfekt funktioniert, um eine fehlerhafte Einheit auf einer Arduino-Nanoplatte zu ersetzen.
2021-08-04 23:28
2 Wochen für die Lieferung. Die Chips funktionieren einwandfrei
2021-11-04 06:37
Entspricht meiner Nutzung
2021-07-11 09:01
Getestet, funktioniert wie erwartet.
2021-12-09 23:36
Schneller Versand, OK
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