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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Bipolare HF-Transistoren  /  Renesas Electronics NE85639-T1-A

NE85639-T1-A

Active Icon Last Time Buy - SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL
NE85639-T1-A
NE85639-T1-A
Renesas Electronics
Hersteller:
Hersteller-Teil #
Datenblatt:
Beschreibung:
SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL
 
3D Model Icon

NE85639-T1-A Spezifikation

Produkt-Attribut
Attributwert
Hersteller
Reihe
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Produktstatus
Last Time Buy
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
12V
Frequenz - übergang
7GHz
Rauschzahl (dB typ. bei f)
1.1dB @ 1GHz
Verstärkung
13dB
Leistung - Max.
200mW
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Betriebstemperatur
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
TO-253-4, TO-253AA
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-143

NE85639-T1-A Inventar: 22040

Geschichte Preis
$1.60000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Charles Reed
Location Icon United States
5 stars
2021-12-31 23:06
Gutes Produkt und funktionieren korrekt.
Author Icon
Quentin Giraud
Location Icon France
5 stars
2021-07-09 02:45
Gut angekommen, noch nicht getestet
Author Icon
Jukka Laakso
Location Icon Finland
5 stars
2021-12-03 00:22
Ich bestelle 10 Stück. Testen Sie nun drei Chips und zwei waren ID 0x441, was STM32F412 ist, nicht STM32F407. Ich bin sehr enttäuscht.
Author Icon
Kęstutis Darius
Location Icon Lithuania
5 stars
2021-12-27 06:22
Die Ware ist sehr zufrieden, der Verkäufer Vielen Dank.
Author Icon
Justine Perrin
Location Icon France
5 stars
2021-06-10 07:32
Recu in 89 Tagen, Streifen, zum Testen

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